产品信息
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200
mm 硅 抛 光 片 规 格
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生长方法
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直拉CZ
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直径与公差 (mm)
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200.0 ± 0.2
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型号/掺杂剂
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P型/硼
N型/磷 |
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晶向
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<100>
/ <111>
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电阻率 (Ω·cm)
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0.1-50
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径向电阻率变化 (%)
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P型 P Type <
5
N型 N Type < 15 |
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氧含量与公差
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5.0-7.8 ×
± 0.5 |
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径向氧含量变化 (%)
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< 5
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碳含量 (at
 ) |
≤ 2.0×
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金属铁含量 (at
) |
(Fe) ≤ 5.0×
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表面金属 (at
 ) |
铜 / 铬 / 铁 / 镍
≤ 2.5×
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 1.0×  |
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厚度 (微米)
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按SEMI标准或用户要求
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厚度公差 (微米)
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±15或用户要求
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总厚度变化 TTV (微米)
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< 3.0
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平整度 TIR (微米)
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< 2.0
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局部平整度 STIRmax (微米)
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< 0.3
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翘曲度 (微米)
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< 20
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颗粒 (# per wafer)
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< 30 (for
size > 0.15 微米)
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注：表中概括了常规产品参数，对产品有更特殊的要求需单独商谈。
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150 mm 硅 抛 光 片 规 格
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生长方法
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直拉CZ
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直径与公差 (mm)
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150.0 ± 0.2
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型号/掺杂剂
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P型/硼
N型/磷、砷、锑 |
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晶向
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<100> / <111>
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电阻率 (Ω·cm)
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0.003-50
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径向电阻率变化 (%)
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P型 < 6
N型 < 25 |
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氧含量与公差 (at ) |
5.0-7.8×
± 0.5 |
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径向氧含量变化 (%)
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< 5
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碳含量 (at
) |
≤ 2.0×
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金属铁含量 (at
) |
≤ 1.0×
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表面金属 (at ) |
铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0×
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙≤ 2.0× |
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厚度 (微米)
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按SEMI标准或用户要求SEM
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厚度公差 (微米)
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±15或用户要求±15
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总厚度变化 TTV (微米)
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< 2.5
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平整度 TIR (微米)
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< 1.2
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局部平整度 STIRmax (微米)
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< 0.3
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翘曲度 (微米)
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< 30
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颗粒(# per wafer)
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< 30 (for size >
0.2 微米)
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| 注：表中概括了常规产品参数，对产品有更特殊的要求需单独商谈。 | |