－－－近期科技新闻－－－

有研硅股研制成功直径5英寸区熔硅单晶

    有研硅股日前成功地研制出我国第一根直径5英寸区熔硅单晶，此举标志着我国区熔硅单晶制备水平又跨上了一个新台阶。

    硅单晶硅材料主要有两大类，除了用于微电子器件的直拉硅单晶以外，还有用于电力电子器件的区熔硅单晶。随着电力电子工业技术的不断发展，对区熔硅单晶材料特性和直径提出了更高的要求。目前国外区熔硅单晶市场上以5英寸为主，有一些6英寸产品；在国内市场上，高速电力机车和正在进行的三峡工程等项目均需求直径4、5英寸的区熔硅单晶。

    有研硅股作为国内区熔硅单晶研制和生产的骨干企业，从上市之初，就把大直径区熔硅单晶项目放在一个非常重要的位置。公司利用募集的资金，把握住国际市场设备价格较低的有利时机，及时地引进了目前国内最大的区熔硅单晶生长设备；并依靠公司雄厚技术实力和人才优势，很快研究出稳定的大直径区熔硅单晶生长工艺，现可批量供应直径4英寸区熔硅单晶。在此基础上，有研硅股又积极进行5英寸区熔硅单晶的研制工作。直径5英寸区熔硅单晶的研制成功，既填补了国内空白，又为该企业继续扩大区熔单晶生产规模，尽快跻身国际市场创造了条件，这必将带来广阔的经济和社会效益。

我国第一根直径4英寸蒸气压控制直拉法（VCZ）砷化镓单晶研制成功

    我国第一根直径4英寸蒸气压控制直拉法（VCZ）砷化镓单晶日前在有研硅股研制成功。这标志着我国化合物半导体材料研制技术又达到了一个新的水平。

    VCZ法生长的单晶具有良好的化学配比、较高的纯度和较低的缺陷密度，这些优点是其它生长方法不可替代的；VCZ法是当今世界化合物半导体材料前沿课题，目前只有西方少数国家掌握该项技术。有研硅股在多年从事化合物半导体材料研究的经验基础上，攻克多项技术难题，目前初步形成了一套具有自主知识产权的专有技术，使我国VCZ法拉晶技术进入世界领先行列。
    
    VCZ法砷化镓材料是微电子及光电子器件的关键基础材料，广泛应用于雷达、卫星及无线通讯等领域。因此，进一步发展VCZ法生长技术，加快产业化步伐，将具有十分重要的经济和社会效益。

有研硅股研制成功直径350mm硅单晶

    目前国内最大直径350mm直拉硅单晶日前在有研硅股研制成功。该直拉硅单晶是应一外国客户要求而生产的，其直径虽然为非标尺寸，但考虑到市场需求，有研硅股技术人员充分挖掘设备的能力，大胆尝试，一次拉制成功。

    直拉硅单晶是微电子器件的基础材料。随着超大规模集成电路集成度的不断增大，对硅材料的质量提出了越来越高的要求；同时要求增大直径硅单晶抛光片的直径，以有效地提高微电子器件的性价比。目前，世界硅材料市场上的主流产品是直径200mm（8英寸）直拉硅单晶抛光片，直径300mm（12英寸）硅抛光片正在进行研究和开发，预计下一代硅单晶抛光片的直径将为450mm。

    直径350mm直拉硅单晶的研制成功并出口，表明有研硅股的单晶生长技术始终处于国际先进水平，单晶产品质量得到了外国客户的认同；同时也为研制下一代直拉硅单晶抛光片打下了技术基础。

　有研硅股 “六英寸区熔硅单晶和重掺砷硅单晶生产基地”在北京林河工业开发区正式开工

　　　有研半导体材料股份有限公司（有研硅股）“六英寸区熔硅单晶和重掺砷硅单晶生产基地”在北京林河工业开发区正式开工，拉开了北京林河工业开发区微电子建设的序幕，同时也标志着作为工业重点项目的微电子基地建设进入了一个新的阶段。该项目由有研半导体材料股份有限公司与香港凯晖控股有限公司合资建立的国泰半导体材料有限公司具体实施，建设年产40吨重掺砷硅单晶的生产线和年产25吨区熔硅单晶的生产线。项目总投资达2168．7万美元。

　　　有研硅股是林河工业开发区被确定为中国北方微电子产业基地后入区的第一个微电子企业。它将分期在林河工业开发区内建设半导体材料基地，“六英寸区熔硅单晶和重掺砷硅单晶生产基地”建设项目为公司的第一期项目。

　　　根据北方微电子产业基地规划方案，未来5至10年内，在以北京为核心，辐射周边，将形成基础材料、设计开发、芯片生产、技术服务等互动发展的集成电路产业链。(摘自北京青年报）