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方永義、男性、城西国際大学経営情報研究科卒業、博士学位取得。現在、株式会社RS Technologies代表取締役、有研半導体シリコン材料株式会社代表取締役。
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張果虎、男性、正高級エンジニア、中南工業大学応用物理専攻卒業、中国人民大学工商管理修士学位取得。現在、有研半導体シリコン材料株式会社取締役、総経理、法定代表者。
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薛玉檩、男性、清華大学卒業、工商管理修士学位取得。現在、中国有研科技集団有限会社運営管理部総経理。
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遠藤智、男性、国立一関工業高等専門学校卒業。現在、株式会社RS Technologies取締役。
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磯貝和範、男性、米国マサチューセッツ工科大学卒業、経営学修士学位取得。現在、北京有研艾斯半導体科技有限会社の取締役、総経理。
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銭鶴、男性、清華大学集積回路学院教授、博士。国家技術発明二等賞、北京市科学技術進歩一等賞、中国科学院科学技術進歩二等賞、政府特殊手当など多くの奨励獲得。現在の科学研究は主に新型半導体メモリーに集中している。
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孫根志華、男性、明治大学政治経済学卒業、経済学博士取得。現在、城西国際大学教授、博士指導者。
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邱洪生、男性、登録高級リスク管理士、高級経済士、登録資産評価士、全国中小企業管理コンサルティング専門家、登録買収取引士、天津財経大学商学院会計専門教授。
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袁少穎、女性、日本大阪大学を卒業し、法学修士学位取得、弁護士開業証を持ち、日本外国法事務弁護士資格取得。ALB China長江デルタ地域弁護士の新星。現在、北京大成(杭州)法律事務所パートナー弁護士、日本御安華栄外国法事務法律事務所代表弁護士。